60N06 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
60N06
|
|
حجم فایل
|
80.107
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
6
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
GOFORD 60N06
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
85W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
50nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
60V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2050pF@30V
-
Continuous Drain Current (Id):
50A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
14mΩ
-
Package:
TO-252
-
Manufacturer:
GOFORD
